年有報道稱，三星正在準(zhǔn)備自己的3D芯片封裝技術(shù)，能夠以更小的尺寸集成高性能芯片所需要的邏輯芯片和存儲芯片。目前HBM產(chǎn)品主要采用2.5D封裝技術(shù)，不過三星打算在2025年亮相的HBM4上引入3D封裝技術(shù)。
據(jù)Trendforce報道，三星在本月舉行的“三星代工論壇（SFF）”上確認(rèn)，今年內(nèi)將推出3D HBM封裝服務(wù)。
據(jù)了解，三星的先進(jìn)封裝解決方案稱為“SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology.）”，目標(biāo)是與臺積電的CoWoS封裝競爭。目前三星提供三種封裝技術(shù)，包括：
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SAINT S - 用于垂直堆疊SRAM存儲器芯片和CPU
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SAINT D - 用于CPU、GPU、DRAM等核心IP的垂直封裝
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SAINT L - 用于堆疊應(yīng)用處理器（AP）
在2.5D封裝技術(shù)下，HBM芯片與硅中介層上的GPU水平連接，通過將HBM芯片垂直堆疊在GPU上，而3D封裝技術(shù)可以不需要硅中介層（硅中介層是位于芯片之間的薄基板，允許芯片進(jìn)行通信和協(xié)同工作）。
據(jù)了解，三星計劃以“交鑰匙”方式提供3D HBM封裝服務(wù)。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，三星的先進(jìn)封裝團(tuán)隊將垂直互連其存儲業(yè)務(wù)部門生產(chǎn)的HBM芯片，以及由其代工部門為芯片設(shè)計公司制造的GPU。三星希望通過先進(jìn)封裝解決方案能夠從競爭對手那里搶奪更多的場份額，并提高自己HBM產(chǎn)品的出貨量，提升市場競爭力。