10 月 22 日消息，中國臺灣地區晶圓代工企業聯華電子（IT之家注：即聯電、UMC）今日宣布推出55nm BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工藝平臺。
這一特色制程能在單一芯片上集成模擬、數字與電力元件，廣泛應用于電源管理與混合信號集成電路，可提升移動設備、消費電子、汽車工業應用產品的能效表現，并提供更小芯片面積與卓越抗噪聲表現。
聯電的55nm BCD平臺包含非外延 / 磊晶(Non-EPI)、外延 / 磊晶(EPI)、絕緣層上硅(SOI)三類制程，同時整合了UTM超厚金屬層、eFLASH嵌入式閃存、RRAM憶阻器等技術。
聯電技術研發副總經理徐世杰表示：
55納米BCD平臺的推出，象征聯電在BCD技術布局上的重要里程碑，更進一步完善我們的特殊制程產品組合，強化在電源管理市場的競爭優勢。
雖然55納米BCD制程已在市場上量產多年，聯電推出全新且全面的55納米BCD解決方案，具備卓越的組件特性，協助客戶打造創新電源解決方案，應用范圍涵蓋智慧型手機、穿戴式裝置、車用、智能家庭與智慧工廠等領域。