4 月 7 日消息，綜合韓媒 The Elec 和 ETNews 報道，三星電子先進封裝團隊高管 Dae Woo Kim 在 2024 年度韓國微電子與封裝學(xué)會年會上表示近日完成了采用 16 層混合鍵合 HBM 內(nèi)存技術(shù)驗證。
Dae Woo Kim 表示，三星電子成功制造了基于混合鍵合技術(shù)的 16 層堆疊 HBM3 內(nèi)存，該內(nèi)存樣品工作正常，未來 16 層堆疊混合鍵合技術(shù)將用于 HBM4 內(nèi)存量產(chǎn)。
▲ 圖源 The Elec，下同
相較現(xiàn)有鍵合工藝，混合鍵合無需在 DRAM 內(nèi)存層間添加凸塊，而是將上下兩層直接銅對銅連接，可顯著提高信號傳輸速率，更適應(yīng) AI 計算對高帶寬的需求。
混合鍵合還可降低 DRAM 層間距，進而減少 HMB 模塊整體高度，但也面臨成熟度不足，應(yīng)用成本昂貴的問題。
三星電子在 HBM4 內(nèi)存鍵合技術(shù)方面采用兩條腿走路的策略，同步開發(fā)混合鍵合和傳統(tǒng)的 TC-NCF 工藝。
結(jié)合下方圖片和IT之家以往報道，HBM4 的模塊高度限制將放寬到 775 微米，有利于繼續(xù)使用 TC-NCF。
三星正努力降低 TC-NCF 工藝的晶圓間隙，目標(biāo)在 HBM4 中將這一高度縮減至 7.0 微米以內(nèi)。
不過 TC-NCF 技術(shù)也面臨著質(zhì)疑。Dae Woo Kim 回擊稱三星電子的方案相較競爭對手 SK 海力士的 MR-RUF 更適合 12 層乃至 16 層的高堆疊模塊